深圳新聞網(wǎng)2025年10月18日訊(記者 李豫軍)10月15日,2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)(灣芯展)在深圳會(huì)展中心(福田)盛大啟幕。在這場(chǎng)匯聚600余家全球半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)的行業(yè)盛會(huì)上,國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)(簡(jiǎn)稱“深圳綜合平臺(tái)”)攜多項(xiàng)核心技術(shù)成果驚艷亮相,以“開放共享”之姿,為破解產(chǎn)業(yè)“卡脖子”難題注入強(qiáng)勁動(dòng)能。
技術(shù)成果發(fā)布:不只是領(lǐng)先,更是“破局”
功率半導(dǎo)體是現(xiàn)代電力電子器件、射頻器件的“核心潛力股”,尤其在高壓、高頻、大功率場(chǎng)景中不可或缺。從碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)到氧化鎵、金剛石等超寬禁帶材料,半導(dǎo)體技術(shù)正不斷突破天花板。
深圳綜合平臺(tái)作為全球首個(gè)集科研與中試于一體的8吋先進(jìn)功率半導(dǎo)體開放共享平臺(tái),已構(gòu)建從研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化的全鏈條能力,設(shè)立四大中心,服務(wù)超30家合作伙伴、10家中試客戶、45家檢測(cè)客戶,并與8所高校開展科研合作或共建聯(lián)合實(shí)習(xí)基地。
2025年,平臺(tái)完成技術(shù)平臺(tái)1.0,實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)突破:
襯底加工:率先實(shí)現(xiàn)碳化硅激光剝離技術(shù),8吋單片總損耗<75μm,切割時(shí)間≤20分鐘,成本降低26%,整體性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
碳化硅外延:突破200μm超厚膜缺陷控制技術(shù),并在商用4°偏角襯底上首次實(shí)現(xiàn)3C-SiC高質(zhì)量外延生長(zhǎng),為解決柵氧遷移率難題開辟新路徑。
1200V SiC平面柵與溝槽柵:突破超窄元胞結(jié)構(gòu)、超高深寬比工藝等關(guān)鍵技術(shù),器件性能達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平,并構(gòu)建全流程自主可控8英寸溝槽柵工藝平臺(tái)。
GaN外延與器件:高壓1200V外延達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,面向車規(guī)應(yīng)用;低壓15-40V外延突破選區(qū)二次外延技術(shù),為AI供電芯片掃清障礙。
全系GaN器件平臺(tái):在25V至650V電壓范圍實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先,關(guān)鍵技術(shù)全面突破。
平臺(tái)還自研業(yè)界首臺(tái)多功能超寬禁帶材料表征系統(tǒng),并基于國(guó)產(chǎn)材料制備出國(guó)內(nèi)首個(gè)氮化鋁/富鋁鎵氮HMET器件。同時(shí),自主仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)與PDK 0.5版本也已上線,為芯片設(shè)計(jì)企業(yè)提供堅(jiān)實(shí)支撐。
未來(lái),平臺(tái)進(jìn)一步提升功率密度和器件可靠性,同時(shí)在第四代器件方面取得突破,如推出GaN/SiC混合場(chǎng)效應(yīng)晶體管、SiC 20kV IGBT等。
生態(tài)共建:14家伙伴簽約,EDA平臺(tái)正式啟用
獨(dú)行快,眾行遠(yuǎn)。展會(huì)期間,深圳綜合平臺(tái)與14家產(chǎn)業(yè)鏈伙伴完成合作簽約,覆蓋材料、器件、工藝與應(yīng)用全環(huán)節(jié),推動(dòng)技術(shù)成果加速落地。
同時(shí),在國(guó)創(chuàng)中心總部指導(dǎo)下,國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心EDA設(shè)計(jì)公共平臺(tái)正式揭牌啟用。該平臺(tái)將直面設(shè)計(jì)與流片驗(yàn)證的“卡點(diǎn)”,助力客戶基于國(guó)產(chǎn)EDA工具與中試線完成芯片驗(yàn)證,打造自主可控的設(shè)計(jì)仿真支撐體系。

國(guó)產(chǎn)裝備集體亮相:123臺(tái)設(shè)備完成驗(yàn)證,16臺(tái)為首臺(tái)套
在國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中,深圳綜合平臺(tái)攜手北京北方華創(chuàng)、大族半導(dǎo)體、上海精測(cè)等13家國(guó)產(chǎn)設(shè)備商,共同點(diǎn)亮16臺(tái)國(guó)產(chǎn)首臺(tái)(套)設(shè)備標(biāo)識(shí),標(biāo)志著8吋寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)工藝設(shè)備驗(yàn)證成果正式發(fā)布。
截至目前,平臺(tái)已完成123臺(tái)套國(guó)產(chǎn)設(shè)備的驗(yàn)證與熟化,其中16臺(tái)為細(xì)分領(lǐng)域首臺(tái)套,關(guān)鍵材料國(guó)產(chǎn)化驗(yàn)證率高達(dá)96%,有力推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控。
開放共享,共創(chuàng)“芯”未來(lái)
此次灣芯展之行,深圳綜合平臺(tái)不僅展示了技術(shù)平臺(tái)1.0的硬核實(shí)力,更通過(guò)EDA平臺(tái)啟用、國(guó)產(chǎn)設(shè)備驗(yàn)證、PDK/MPW發(fā)布等舉措,彰顯其推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控與高質(zhì)量發(fā)展的決心。未來(lái),平臺(tái)將繼續(xù)秉持開放理念,與全球伙伴攜手,共創(chuàng)半導(dǎo)體新未來(lái)。